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碳化硅激光剥离设备国产化中电科二所取得突破性进展

发布日期：2022-02-10

“目前，科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC（碳化硅）单晶片的激光剥离。”中国电子科技集团第二研究所（以下简称“中电科二所”）近日传来好消息，在SiC激光剥离设备研制方面，取得了突破性进展。

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