污秽分布

本文基于绝缘子污秽分布的非连续特征，开展了非连续污秽分布对陶瓷与玻璃绝缘子交/直流放电影响的实验研 究。首先，基于紫外脉冲原理搭建了污秽绝缘子放电紫外脉冲检测系统。在此基础上，研究了非连续污秽分布对绝缘子 交/直流放电紫外脉冲与泄漏电流的影响特性。试验结果表明：非连续污秽分布下陶瓷绝缘子交流放电紫外脉冲数高于全 污秽绝缘子放电紫外脉冲数。全污秽陶瓷绝缘子直流放电紫外脉冲数明显高于其它污秽分布下绝缘子放电紫外脉冲数。 玻璃绝缘子不同污秽分布下交/直流放电紫外脉冲数在不同电压等级下表现出较大差异。一般情况下，全污秽绝缘子泄漏 电流高于非连续污秽分布绝缘子泄漏电流，洁净绝缘子泄漏电流小于污秽绝缘子泄漏电流，不同干带污秽绝缘子泄漏电 流表现出差异化。绝缘子污秽非连续分布对泄漏电流表征污秽程度产生偏差，在实际中，可结合绝缘子放电紫外脉冲与 泄漏电流检测综合评估绝缘子污秽程度。

绝缘子污秽状态多光谱图像分析系统，是以多光谱技术、图像识别技术、智能分类技术为依托，系统基于不同污秽等级的绝缘子光谱反射数据，建立了从 a 级污秽到 e 级污秽连续变化的反射对应区间，并设计了绝缘子污秽分布状态评估模型，可快速安全实现绝缘子污秽等级判读。